Dünnschicht-Photovoltaik
Ausstattung
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Solarzellencharakterisierung / Bauelementphysik
- Strom-Spannungs-Analytik unter Standard Testbedingungen (STC-IV)
- Strom-Spannungs-Analytik bei Variation der Temperatur (T=100-350K) und Bestrahlungsstärke (PL=0….1200 W/m2) (IVT)
- Externe und interne Quanteneffizienz (EQE/ IQE)
- Raumladungszonenanalytik (CV, DLCP)
- Klimakammer für beschleunigte Alterungstests (Damp-Heat) mit in-situ-Analytik und Solarsimulator für 600x600 mm2
Ladungstransport
- Elektrische Störstellenspektroskopie (TAS, DLTS)
- Optische Störstellenspektroskopie (Tieftemperatur PL) *
- Hall-Beweglichkeit *
Schichtanalytik
- Infrarot-Lock-In-Thermografie (I-LIT, D-LIT)
- Zeitaufgelöste Photolumineszenz (TR-PL)
- Röntgendiffraktometrie mit Eulerwiege (HTXRD)
- Rastersondenmikroskopie (AFM, KPFM, STM)
- Elektronenmikroskopie (FIB-SEM, EDX, STEM-EDX *)
- Spektral-winkelabhängige Ellipsometrie (VASE)
Probenpräparation
- Vakuum-Beschichtungsanlage zur Herstellung von Chalkopyrit und Kesterit-Dünnschichten und kompletter Solarzellen
- Nasschemische Abscheidung von CdS und Zn(O,S) *
*) wird in Kürze beschafft bzw. befindet sich im Aufbau


