Dünnschicht-Photovoltaik

Ausstattung

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Solarzellencharakterisierung / Bauelementphysik

  • Strom-Spannungs-Analytik unter Standard Testbedingungen (STC-IV)
  • Strom-Spannungs-Analytik bei Variation der Temperatur (T=100-350K) und Bestrahlungsstärke (PL=0….1200 W/m2) (IVT)
  • Externe und interne Quanteneffizienz (EQE/ IQE)
  • Raumladungszonenanalytik (CV, DLCP)
  • Klimakammer für beschleunigte Alterungstests (Damp-Heat) mit in-situ-Analytik und Solarsimulator für 600x600 mm2

Ladungstransport

  • Elektrische Störstellenspektroskopie (TAS, DLTS)
  • Optische Störstellenspektroskopie (Tieftemperatur PL) *
  • Hall-Beweglichkeit *

Schichtanalytik

  • Infrarot-Lock-In-Thermografie (I-LIT, D-LIT)
  • Zeitaufgelöste Photolumineszenz (TR-PL)
  • Röntgendiffraktometrie mit Eulerwiege (HTXRD)
  • Rastersondenmikroskopie (AFM, KPFM, STM) 
  • Elektronenmikroskopie (FIB-SEM, EDX, STEM-EDX *)
  • Spektral-winkelabhängige Ellipsometrie (VASE)

Probenpräparation

  • Vakuum-Beschichtungsanlage zur Herstellung von Chalkopyrit und Kesterit-Dünnschichten und kompletter Solarzellen
  • Nasschemische Abscheidung von CdS und Zn(O,S) *

*) wird in Kürze beschafft bzw. befindet sich im Aufbau

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